PNP Epitaxial Planar Silicon Transistors Compact Motor Driver Applications The part 2SB1324 is a PNP silicon epitaxial planar transistor manufactured by SANYO. Below are the key specifications:

- **Type**: PNP
- **Material**: Silicon
- **Structure**: Epitaxial Planar
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: -50V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: -50V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: -5V
- **Collector Current (IC)**: -3A
- **Collector Dissipation (PC)**: 25W
- **Junction Temperature (Tj)**: 150°C
- **Storage Temperature (Tstg)**: -55°C to +150°C
- **DC Current Gain (hFE)**: 60 to 320 (at VCE = -5V, IC = -1A)
- **Transition Frequency (fT)**: 20MHz (at VCE = -5V, IC = -1A, f = 1MHz)
- **Package**: TO-220

These specifications are typical for the 2SB1324 transistor and are based on the manufacturer's datasheet.

PNP Epitaxial Planar Silicon Transistors Compact Motor Driver Applications The 2SB1324 is a PNP bipolar junction transistor (BJT) manufactured by SANYO. Below are the key specifications:

- **Type**: PNP
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: -50V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: -50V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: -5V
- **Collector Current (IC)**: -3A
- **Collector Dissipation (PC)**: 25W
- **Junction Temperature (Tj)**: 150°C
- **Storage Temperature (Tstg)**: -55°C to +150°C
- **DC Current Gain (hFE)**: 60 to 320 (at VCE = -5V, IC = -0.5A)
- **Transition Frequency (fT)**: 20MHz (at VCE = -5V, IC = -0.5A, f = 1MHz)
- **Package**: TO-220

These specifications are based on the standard operating conditions provided by SANYO for the 2SB1324 transistor.

PNP Epitaxial Planar Silicon Transistors Compact Motor Driver Applications Part 2SB1324 is a PNP silicon epitaxial planar transistor manufactured by ROHM. The key specifications are:

- **Type**: PNP
- **Material**: Silicon
- **Structure**: Epitaxial planar
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: -50V
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: -50V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: -5V
- **Collector Current (IC)**: -1A
- **Collector Dissipation (PC)**: 0.9W
- **Junction Temperature (Tj)**: 150°C
- **Storage Temperature (Tstg)**: -55°C to 150°C
- **DC Current Gain (hFE)**: 120 to 400 (at VCE = -5V, IC = -150mA)
- **Transition Frequency (fT)**: 150MHz (at VCE = -5V, IC = -10mA, f = 100MHz)
- **Package**: TO-92

These specifications are based on the typical characteristics provided by ROHM for the 2SB1324 transistor.