Power Device Part 2SB1317 is a semiconductor component, specifically a PNP transistor. The manufacturer specifications for this transistor typically include:

- **Type**: PNP Bipolar Junction Transistor (BJT)
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: 60V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: 50V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: 5V
- **Collector Current (IC)**: 1A
- **Power Dissipation (Ptot)**: 1W
- **DC Current Gain (hFE)**: 100-320
- **Transition Frequency (fT)**: 100MHz
- **Operating Temperature Range**: -55°C to 150°C
- **Package**: TO-92

These specifications are standard for the 2SB1317 transistor and are used to determine its suitability for various electronic applications.