1.2W PACKAGE POWER TAPED TRANSISTOR DESIGNED FOR USE WITH AN AUTOMATIC PLACEMENT MECHINE The 2SB1306 is a PNP silicon epitaxial planar transistor manufactured by Sanyo. It is designed for use in general-purpose amplification and switching applications. Key specifications include:

- **Collector-Base Voltage (VCBO):** -50V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** -50V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** -5V
- **Collector Current (IC):** -3A
- **Total Power Dissipation (PT):** 25W
- **Junction Temperature (Tj):** 150°C
- **Storage Temperature (Tstg):** -55°C to +150°C
- **DC Current Gain (hFE):** 60 to 320 (depending on the specific variant)
- **Transition Frequency (fT):** 20MHz (typical)
- **Package Type:** TO-220

These specifications are typical for the 2SB1306 transistor and may vary slightly depending on the specific variant or batch.