PNP Epitaxial Planar Silicon Transistors Low-Frequency General-Purpose Amplifier Applications Part 2SB1295 is a PNP silicon epitaxial planar transistor manufactured by SANYO. The key specifications for this transistor are as follows:

- **Type**: PNP
- **Material**: Silicon
- **Structure**: Epitaxial planar
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: -50V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: -50V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: -5V
- **Collector Current (IC)**: -1.5A
- **Collector Dissipation (PC)**: 1W
- **Junction Temperature (Tj)**: 150°C
- **Storage Temperature (Tstg)**: -55°C to +150°C
- **DC Current Gain (hFE)**: 60 to 320 (at VCE = -6V, IC = -150mA)
- **Transition Frequency (fT)**: 100MHz (at VCE = -10V, IC = -50mA, f = 100MHz)
- **Package**: TO-92MOD

These specifications are based on the typical characteristics and electrical ratings provided by SANYO for the 2SB1295 transistor.