PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR MP-3 The part 2SB1261-Z is a PNP silicon epitaxial planar transistor. It is designed for use in general-purpose amplification and switching applications. The key specifications include:

- **Collector-Base Voltage (VCBO):** -50V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** -50V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** -5V
- **Collector Current (IC):** -3A
- **Total Power Dissipation (PT):** 25W
- **Junction Temperature (Tj):** 150°C
- **Storage Temperature Range (Tstg):** -55°C to +150°C
- **DC Current Gain (hFE):** 60 to 320 (at VCE = -5V, IC = -1A)
- **Transition Frequency (fT):** 20MHz (at VCE = -5V, IC = -1A, f = 1MHz)

The transistor is housed in a TO-220 package.

PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR MP-3 The part 2SB1261-Z is a PNP silicon epitaxial planar transistor manufactured by NEC. Key specifications include:

- **Collector-Base Voltage (VCBO):** -50V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** -50V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** -5V
- **Collector Current (IC):** -3A
- **Collector Dissipation (PC):** 25W
- **Junction Temperature (Tj):** 150°C
- **Storage Temperature (Tstg):** -55°C to +150°C
- **DC Current Gain (hFE):** 60 to 320 (at IC = -1A, VCE = -5V)
- **Transition Frequency (fT):** 20MHz (at IC = -1A, VCE = -5V, f = 1MHz)
- **Package:** TO-220

These specifications are based on NEC's datasheet for the 2SB1261-Z transistor.