Power Transistor (?80V, ?1A) The 2SB1260T100R is a PNP bipolar junction transistor (BJT) manufactured by ROHM. Below are the key specifications:

- **Type**: PNP BJT
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: -50V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: -50V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: -5V
- **Collector Current (IC)**: -3A
- **Power Dissipation (Pc)**: 1W
- **DC Current Gain (hFE)**: 120 to 400
- **Operating Junction Temperature (Tj)**: 150°C
- **Package**: TO-220F
- **Mounting Type**: Through Hole

These specifications are based on the manufacturer's datasheet and are subject to the operating conditions and limits defined by ROHM.