Power Transistor (?80V, ?1A) The 2SB1260 T100Q is a PNP silicon epitaxial planar transistor manufactured by ROHM. Key specifications include:

- **Type**: PNP
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: -50V
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: -50V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: -5V
- **Collector Current (IC)**: -3A
- **Collector Dissipation (PC)**: 30W
- **Junction Temperature (Tj)**: 150°C
- **Storage Temperature (Tstg)**: -55°C to +150°C
- **DC Current Gain (hFE)**: 60 to 320
- **Transition Frequency (fT)**: 20MHz
- **Package**: TO-220F

These specifications are typical for the 2SB1260 T100Q transistor as provided by ROHM.