Medium Power Transistor (−32V,−1A) The 2SB1237 is a PNP silicon epitaxial planar transistor manufactured by ROHM. Its key specifications include:

- **Type**: PNP
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: -50V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: -50V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: -5V
- **Collector Current (IC)**: -3A
- **Collector Dissipation (PC)**: 25W
- **Junction Temperature (Tj)**: 150°C
- **Storage Temperature (Tstg)**: -55°C to +150°C
- **DC Current Gain (hFE)**: 60 to 320 (at VCE = -5V, IC = -1A)
- **Transition Frequency (fT)**: 60MHz (at VCE = -5V, IC = -1A, f = 100MHz)
- **Package**: TO-220F

These specifications are based on ROHM's datasheet for the 2SB1237 transistor.