Power Transistor (-120V , -1.5A) The 2SB1236 is a PNP silicon epitaxial planar transistor manufactured by ROHM. Its key specifications include:

- **Collector-Base Voltage (VCBO):** -50V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** -50V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** -5V
- **Collector Current (IC):** -3A
- **Collector Dissipation (PC):** 1W
- **Junction Temperature (Tj):** 150°C
- **Storage Temperature (Tstg):** -55°C to +150°C
- **DC Current Gain (hFE):** 120 to 400 (at VCE = -5V, IC = -1A)
- **Transition Frequency (fT):** 100MHz (at VCE = -5V, IC = -1A, f = 1MHz)
- **Package:** TO-126MOD

These specifications are typical for the 2SB1236 transistor, which is commonly used in amplification and switching applications.