Bipolar Transistor, 50V, 2A, Low VCE(sat), NPN Single NP Part 2SB1229 is a specific type of semiconductor device, typically a transistor or diode, manufactured by various companies in the electronics industry. The exact specifications for a part labeled 2SB1229 can vary depending on the manufacturer, but generally, it would include details such as:

- **Type**: PNP or NPN transistor (depending on the specific model)
- **Maximum Collector-Base Voltage (Vcb)**: Typically in the range of 30V to 60V
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (Vce)**: Usually around 30V to 50V
- **Maximum Emitter-Base Voltage (Veb)**: Often around 5V to 7V
- **Collector Current (Ic)**: Commonly in the range of 1A to 3A
- **Power Dissipation (Pd)**: Typically between 0.8W to 1.5W
- **DC Current Gain (hFE)**: Usually between 60 to 320
- **Transition Frequency (fT)**: Often around 100MHz to 200MHz
- **Package Type**: TO-92, TO-126, or similar small signal transistor packages

For precise specifications, it is essential to refer to the datasheet provided by the specific manufacturer of the 2SB1229 component.

Bipolar Transistor, 50V, 2A, Low VCE(sat), NPN Single NP The 2SB1229 is a PNP silicon epitaxial planar transistor manufactured by SANYO. It is designed for use in general-purpose amplification and switching applications. The key specifications of the 2SB1229 transistor include:

- **Collector-Base Voltage (VCBO):** -50V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** -50V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** -5V
- **Collector Current (IC):** -3A
- **Collector Dissipation (PC):** 25W
- **Junction Temperature (Tj):** 150°C
- **Storage Temperature (Tstg):** -55°C to +150°C
- **DC Current Gain (hFE):** 60 to 320 (at VCE = -5V, IC = -1A)
- **Transition Frequency (fT):** 20MHz (at VCE = -5V, IC = -1A, f = 1MHz)
- **Package:** TO-220

These specifications are typical for the 2SB1229 transistor as provided by SANYO.