PNP Epitaxial Planar Silicon Darlington Transistor Driver Applications The 2SB1228 is a PNP silicon epitaxial planar transistor manufactured by SANYO. It is designed for use in general-purpose amplification and switching applications. The key specifications of the 2SB1228 transistor include:

- **Type**: PNP
- **Material**: Silicon
- **Structure**: Epitaxial planar
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: -50V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: -50V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: -5V
- **Collector Current (IC)**: -3A
- **Collector Dissipation (PC)**: 25W
- **Junction Temperature (Tj)**: 150°C
- **Storage Temperature (Tstg)**: -55°C to +150°C
- **DC Current Gain (hFE)**: 60 to 320 (at VCE = -5V, IC = -1A)
- **Transition Frequency (fT)**: 20MHz (at VCE = -5V, IC = -1A, f = 1MHz)
- **Package**: TO-220

These specifications are typical for the 2SB1228 transistor and are based on the manufacturer's datasheet.

PNP Epitaxial Planar Silicon Darlington Transistor Driver Applications Part 2SB1228 is a PNP silicon epitaxial planar transistor. Here are the key specifications:

- **Type**: PNP
- **Material**: Silicon
- **Structure**: Epitaxial Planar
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: -50V
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: -50V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: -5V
- **Collector Current (IC)**: -1.5A
- **Collector Dissipation (PC)**: 0.9W
- **Junction Temperature (Tj)**: 150°C
- **Storage Temperature (Tstg)**: -55°C to +150°C

These specifications are typical for the 2SB1228 transistor and are used in various electronic applications requiring PNP transistors.