PNP Epitaxial Planar Silicon Darlington Transistor Driver Applications Part 2SB1225 is a PNP silicon epitaxial planar transistor. The manufacturer specifications for this transistor typically include the following:

- **Type**: PNP
- **Material**: Silicon
- **Structure**: Epitaxial Planar
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: -50V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: -50V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: -5V
- **Collector Current (IC)**: -1.5A
- **Total Power Dissipation (PT)**: 1W
- **Junction Temperature (Tj)**: 150°C
- **Storage Temperature (Tstg)**: -55°C to +150°C
- **DC Current Gain (hFE)**: 60-320 (depending on the specific conditions and part variant)
- **Transition Frequency (fT)**: Typically around 100MHz

These specifications are subject to variation depending on the specific manufacturer and datasheet. Always refer to the official datasheet for precise and detailed information.