Small-signal device The part 2SB1220 is a PNP silicon epitaxial planar transistor manufactured by PANASONIC. Its key specifications include:

- **Collector-Base Voltage (VCBO):** -50V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** -50V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** -5V
- **Collector Current (IC):** -3A
- **Collector Dissipation (PC):** 25W
- **Junction Temperature (Tj):** 150°C
- **Storage Temperature (Tstg):** -55°C to +150°C
- **DC Current Gain (hFE):** 60 to 320 (at VCE = -5V, IC = -1A)
- **Transition Frequency (fT):** 20MHz (at VCE = -5V, IC = -1A, f = 1MHz)
- **Package:** TO-220

This transistor is commonly used in power amplification and switching applications.

Small-signal device The part 2SB1220 is a PNP silicon epitaxial planar transistor manufactured by Panasonic. The key specifications from Ic-phoenix technical data files are:

- Collector-Base Voltage (VCBO): -50V
- Collector-Emitter Voltage (VCEO): -50V
- Emitter-Base Voltage (VEBO): -5V
- Collector Current (IC): -2A
- Collector Dissipation (PC): 1W
- Junction Temperature (Tj): 150°C
- Storage Temperature (Tstg): -55 to 150°C
- DC Current Gain (hFE): 120 to 560 at VCE = -5V, IC = -0.5A
- Transition Frequency (fT): 120MHz at VCE = -5V, IC = -0.5A, f = 10MHz

The transistor is designed for general-purpose amplification and switching applications. It comes in a TO-126 package.