Small-signal device The part number 2SB1219A is a PNP silicon epitaxial planar transistor manufactured by Panasonic. Key specifications include:

- **Type**: PNP
- **Material**: Silicon
- **Structure**: Epitaxial planar
- **Collector-Emitter Voltage (Vceo)**: -50V
- **Collector-Base Voltage (Vcbo)**: -50V
- **Emitter-Base Voltage (Vebo)**: -5V
- **Collector Current (Ic)**: -3A
- **Collector Dissipation (Pc)**: 25W
- **Junction Temperature (Tj)**: 150°C
- **Storage Temperature (Tstg)**: -55°C to +150°C
- **DC Current Gain (hFE)**: 60 to 320
- **Transition Frequency (fT)**: 20MHz
- **Package**: TO-220

These specifications are typical for the 2SB1219A transistor and are subject to standard manufacturing tolerances.