Small-signal device The 2SB1219 is a PNP silicon epitaxial planar transistor manufactured by Panasonic. Its key specifications include:

- **Collector-Base Voltage (VCBO):** -50V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** -50V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** -5V
- **Collector Current (IC):** -3A
- **Collector Dissipation (PC):** 25W
- **Junction Temperature (Tj):** 150°C
- **Storage Temperature (Tstg):** -55°C to +150°C
- **DC Current Gain (hFE):** 60 to 320 (at VCE = -5V, IC = -1A)
- **Transition Frequency (fT):** 20MHz (at VCE = -5V, IC = -1A, f = 1MHz)
- **Package:** TO-220

These specifications are typical for the 2SB1219 transistor as provided by Panasonic.

Small-signal device The 2SB1219 is a PNP silicon epitaxial planar transistor manufactured by Panasonic. Key specifications include:

- **Type**: PNP
- **Material**: Silicon
- **Structure**: Epitaxial planar
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: -50V
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: -50V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: -5V
- **Collector Current (IC)**: -3A
- **Collector Dissipation (PC)**: 25W
- **Junction Temperature (Tj)**: 150°C
- **Storage Temperature (Tstg)**: -55°C to +150°C
- **DC Current Gain (hFE)**: 60 to 320 (at IC = 1A, VCE = -5V)
- **Transition Frequency (fT)**: 20MHz (at IC = 1A, VCE = -5V, f = 1MHz)
- **Package**: TO-220

These specifications are based on the information provided in Ic-phoenix technical data files.