PNP SILICON POWER TRANSISTOR Part 2SB1217 is a PNP silicon epitaxial planar transistor manufactured by NEC. The key specifications from the NEC datasheet are as follows:

- **Type**: PNP silicon epitaxial planar transistor
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: -50V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: -50V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: -5V
- **Collector Current (IC)**: -1A
- **Total Power Dissipation (PT)**: 0.9W
- **Junction Temperature (Tj)**: 125°C
- **Storage Temperature (Tstg)**: -55°C to +150°C
- **DC Current Gain (hFE)**: 60-320 (at VCE = -5V, IC = -0.1A)
- **Transition Frequency (fT)**: 120MHz (at VCE = -5V, IC = -0.1A, f = 100MHz)
- **Collector Capacitance (Cob)**: 10pF (at VCB = -10V, IE = 0, f = 1MHz)

These specifications are based on the NEC datasheet for the 2SB1217 transistor.