PNP Epitaxial Planar Silicon Transistors High-Current Switching Applications The part number 2SB1216 is a PNP bipolar junction transistor (BJT) manufactured by Toshiba. Here are the key specifications:

- **Type**: PNP BJT
- **Collector-Emitter Voltage (Vceo)**: -50V
- **Collector-Base Voltage (Vcbo)**: -50V
- **Emitter-Base Voltage (Vebo)**: -5V
- **Collector Current (Ic)**: -3A
- **Power Dissipation (Pc)**: 25W
- **DC Current Gain (hFE)**: 60 to 320
- **Operating Junction Temperature (Tj)**: -55°C to +150°C
- **Package**: TO-220

These specifications are based on the standard datasheet for the 2SB1216 transistor.