Diodes for Protecting Against ESD The part 01BZA82 is manufactured by TOSHIBA. It is a semiconductor device, specifically a transistor. The specifications for this part include:

- **Type**: NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)
- **Package**: TO-92
- **Collector-Emitter Voltage (Vceo)**: 50V
- **Collector Current (Ic)**: 100mA
- **Power Dissipation (Pd)**: 400mW
- **DC Current Gain (hFE)**: 120 to 390
- **Transition Frequency (fT)**: 250MHz

These specifications are typical for the 01BZA82 transistor and are used in various electronic applications.