IC Phoenix
 
Home ›  FF11 > FDT439N_NL,N-Channel 2.5V Specified Enhancement Mode Field Effect Transistor
FDT439N_NL Fast Delivery,Good Price
Part Number:
If you need More Quantity or Better Price,Welcom Any inquiry.
We available via phone +865332716050 Email
Partno Mfg Dc Qty AvailableDescript
FDT439N_NLFAIRCHILN/a250avaiN-Channel 2.5V Specified Enhancement Mode Field Effect Transistor


FDT439N_NL ,N-Channel 2.5V Specified Enhancement Mode Field Effect Transistor        ..
FDT457N ,N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorElectrical Characteristics V = 10VV =3.5VGS8 4.0264.0 4.545.06.0DS(ON)7.0R , NOR ..
FDT457N ,N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorAugust 1998 ..
FDT457N ,N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFeatures General DescriptionEnhancement Mode Field Effect Transistor-Channel DT457 ..
FDT457N ,N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistorapplications such asnotebook computer power management, battery poweredTMTMSuperSOT-3SuperSOT-6Supe ..
FDT458P ,30V P-Channel PowerTrench MOSFETApplications low RDS(ON) • Battery chargers • High power and current handling capability in a • M ..
FS10KMJ-06 , MITSUBISHI Nch POWER MOSFET
FS10KMJ-2 , Nch POWER MOSFET HIGH-SPEED SWITCHING USE
FS10KMJ-3 , Nch POWER MOSFET HIGH-SPEED SWITCHING USE
FS10UM-12 , Nch POWER MOSFET HIGH-SPEED SWITCHING USE
FS10VS-10 , Nch POWER MOSFET HIGH-SPEED SWITCHING USE
FS10VS-10 , Nch POWER MOSFET HIGH-SPEED SWITCHING USE


FDT439N_NL
N-Channel 2.5V Specified Enhancement Mode Field Effect Transistor
������� ��������� ������� ����������������������������������������������������������������� ������������������� �������� �������������������������������������������������������� � ( )�*��)+�, ��- �.�+ +/0�Ω 1�, �.�/ 0�, ������ �� �������������������������������������������������������� �����- �.�+ +02�Ω 1�, �.�3 0�, ����� ����� ��������� ����� ���������� ������ !���� ���� ������ �� ������������������������������������������������"����� ������ ������������ ���� ���!���� ��������� �#������� � ������#������������� ����������� � ������ ��������� ���� #���� ������� ��� ��# � 4������#����������������������������$����������� !�������� ��#� �������� ������������� ����� ��� ����$��% ��������� ��#��� ������������ $������� ��#���� ����#����������������������������%��� ������������������������������ ������������ � ��&������!����� � ’�����#���� � ���������!��� D D D D S S D G SOT-223* G S G G DS SOT-223 (J23Z) T = 25°C unless otherwise noted Absolute Maximum Ratings A Symbol Parameter FDT439N Units V Drain-Source Voltage 30 V DSS V Gate-Source Voltage 8V GSS ± I Drain Current - Continuous (Note 1a) 6.3 A D - Pulsed 20 P Power Dissipation for Single Operation (Note 1a) 3W D (Note 1b) 1.3 (Note 1c) 1.1 T , T Operating and Storage Junction Temperature Range -55 to +150 C J stg ° Thermal Characteristics R Thermal Resistance, Junction-to-Ambient (Note 1a) 42 C/W JA ° θ R Thermal Resistance, Junction-to-Case (Note 1) 12 C/W JC ° θ Package Marking and Ordering Information Device Marking Device Reel Size Tape Width Quantity FDT439N FDT439N 13’’ 12mm 2500 units ���������������������������������������� ���������������
ic,good price


TEL:86-533-2716050      FAX:86-533-2716790
   

©2020 IC PHOENIX CO.,LIMITED