FDR8508P ,Dual P-Channel, Logic Level, PowerTrench TM MOSFET ..
FDR8521L ,P-Channel MOSFET With Gate Driver For Load Switch ApplicationElectrical Characteristics A Symbol Parameter Test Conditions Min Typ Max UnitsOFF Characteristics ..
FDR8521L ,P-Channel MOSFET With Gate Driver For Load Switch ApplicationApplications • High density cell design for extremely low on-resistance.• Power management• Load sw ..
FDR858P ,Single P-Channel, Logic Level, PowerTrench TM MOSFETGeneral Description MOSFET, Logic Level, PowerTrenchSingle58P O
FDR8702H ,20V N & P-Channel PowerTrench MOSFETElectrical Characteristics T = 25°C unless otherwise noted ASymbol Parameter Test Conditions Q Min ..
FDR8702H ,20V N & P-Channel PowerTrench MOSFETApplications • Fast switching speed. DC/DC converter Power management • High performance trench te ..
FQB17P10TM ,100V P-Channel QFETapplications such as audio amplifier,high efficiency switching DC/DC converters, and DC motorcontro ..
FQB19N10LTM ,100V N-Channel Logic Level QFETapplications such as high efficiencyswitching DC/DC converters, and DC motor control.D D! !""!!"""" ..
FQB19N10TM ,100V N-Channel QFETFeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect • 19A, 100V, R = 0.1Ω @V = 10 VDS(on) G ..
FQB19N10TM ,100V N-Channel QFETapplications such as audio amplifier,high efficiency switching DC/DC converters, and DC motorcontro ..
FQB19N20C ,200V N-Channel Advance Q-FET C-SeriesFeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect • 19.0A, 200V, R = 0.17Ω @V = 10 VDS(on ..
FQB19N20TM ,200V N-Channel QFET
FDR8508P
Dual P-Channel, Logic Level, PowerTrench TM MOSFET
�������� ���������� �������� �� ���������������������������������������� ������� ������������������� �������� � �)�*�+,��)*�����- �.�*�*��Ω /�� �.��0*� ��������������������������������������������������� ������ �� ����������������������������� ����!��������"�������� ��������- �.�*�*12Ω /�� �.��3���� ������ �� �����������������#�������������$�������������������%����� � &�"� ����� �������� 41��� �$�����5� ������������������������$��������������"���������������� ����������"�������������������� � 6���� ������������ ������� ���������$� ���� �7������$ ������"�- ������ ������������ � 6������"����������������������������#����$� ���&�����"���� � ������ ���������� 4)18� �������� ����� �� ��������� ���159 ��’�(’�����!����� ::::��"� �������� ���;���� 40� ��� ����;59� ��"��� �������� �����������!��� ::::����#����$���������������1� �� �� 4 5 �� �� 6 3 2 7 �� �� �� 8 1 ������ �� ���������� Absolute Maximum Ratings T = 25°C unless otherwise noted A Symbol Parameter FDR8508P Units V Drain-Source Voltage -30 V DSS V Gate-Source Voltage V GSS ±20 I Drain Current - Continuous (Note 1a) -3 A D - Pulsed -20 P Power Dissipation 0.8 W D Operating and Storage Junction Temperature Range -55 to +150 T , T °C J stg Thermal Characteristics Thermal Resistance, Junction-to-Ambient (Note 1a) 156 R °C/W JA θ R Thermal Resistance, Junction-to-Case (Note 1) 40 °C/W JC θ Package Marking and Ordering Information Device Marking Device Reel Size Tape Width Quantity .8508 FDR8508P 13” 12mm 3000 units ���������������������������������������� ���������������
