FDC642P ,P-Channel 2.5V Specified PowerTrench TM MOSFET -3 ..
FDC6432SH ,12V P-Channel PowerTrench MOSFET, 30V PowerTrench SyncFETElectrical Characteristics T = 25°C unless otherwise noted ASymbol Parameter Test Conditions Q Min ..
FDC645 ,N-Channel PowerTrench MOSFETApplications• Low gate charge (13 nC typical)• DC/DC converter• High power and current handling cap ..
FDC645N ,N-Channel PowerTrench MOSFETFeatures This N-Channel MOSFET has been designed • 5.5 A, 30 V. R = 30 mΩ @ V = 4.5 V DS(ON) GSsp ..
FDC645N_NL ,N-Channel PowerTrench MOSFETApplications • Low gate charge (13 nC typical) • DC/DC converter • High power and current handling ..
FDC6506 ,Dual P-Channel Logic Level PowerTrench MOSFETApplications than standard SO-8); low profile (1mm thick).• Load switch• Battery protection• P ..
FMX-12S , Ultra-Fast-Recovery Rectifier Diodes
FMX-12S , Ultra-Fast-Recovery Rectifier Diodes
FMX-2203 , Ultra-Fast-Recovery Rectifier Diodes
FMX-22S , Ultra-Fast-Recovery Rectifier Diodes
FMX-22S , Ultra-Fast-Recovery Rectifier Diodes
FMX-22SL , Ultra-Fast-Recovery Rectifier Diodes
FDC642P
P-Channel 2.5V Specified PowerTrench TM MOSFET
������� ��������� ������� �� ������������������������������������ ������� ������������������� �������� -����3�"�����$�����������’����4,*�5-��������+��� � �������������� ���������Ω ��� ��������� ������ �� +������������$�6����7������3����-������������������ ���� ����������Ω ��� ��������� ������ �� ����8�����������$$#����$��������(���(�9���������� ���������������#���(��������$���������������’�� � ��������������������� �+��������������������’��(����� -�������7�������7��8�����������������’’����)��������$ � ���������������� !���"��#����$%� ������ ������������ ��� �� 7��#� �(�$$� ’��������� ’�� ���&�������’��(������������������$��#�’����)���(�$# ���$�������������������$���������.����������(��������$� ����$���� � ������ �� ������������ � *+���*,- ������.���/��(�$$�’��������� !�0��(�$$�� �� ������������ ������������������*,�1%2�$������’�$�� �((�����.%� ���:�����#����������� ���3�����(�����(��� S 1 6 D D 2 5 G D 3 3 4 TM D SuperSOT -6 Absolute Maximum Ratings T = 25°C unless otherwise noted A Symbol Parameter Ratings Units V Drain-Source Voltage -20 V DSS V Gate-Source Voltage V GSS ±8 I Drain Current - Continuous (Note 1) -4 A D Drain Current - Pulsed (Note 1a) -20 P Power Dissipation for Single Operation (Note 1a) 1.6 W D (Note 1b) 0.8 T , T Operating and Storage Junction Temperature Range -55 to +150 J stg °C Thermal Characteristics R Thermal Resistance, Junction-to-Ambient (Note 1a) 78 °C/W JA θ Thermal Resistance, Junction-to-Case (Note 1) 30 R °C/W JC θ Package Outlines and Ordering Information Device Marking Device Reel Size Tape Width Quantity .642 FDC642P 7’’ 8mm 3000 units ���������������������������������������� ���������������
