FDB5680 ,60 N-Channel PowerTrench TM MOSFET July 2000 ..
FDB5690 ,60V N-Channel PowerTrench TM MOSFETFeatures• 32 A, 60 V. R = 0.027 Ω @ V = 10 VDS(ON) GSThis N-Channel MOSFET has been designed specif ..
FDB6021P ,20V P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFETApplications • Critical DC electrical parameters specified at • Battery management elevated temper ..
FDB6021P ,20V P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFETFeatures This P-Channel power MOSFET uses Fairchild’s low • –28 A, –20 V. R = 30 mΩ @ V = 4.5 V DS ..
FDB6030BL ,N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFETFeatures• 40 A, 30 V. R = 0.018 Ω @ V = 10 VThis N-Channel Logic Level MOSFET has been designedDS(O ..
FDB6030L ,N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorGeneral Description
FMMT625TA , 150V NPN SILICON LOW SATURATION TRANSISTOR IN SOT23
FMMT717 , 625mW power dissipation, IC up to 10A peak pulse current
FMMT718 , 625mW power dissipation, Extremely low saturation voltage e.g. 10mV typ
FMMT723TA , SOT23 PNP SILICON POWER (SWITCHING) TRANSISTORS
FMMT723TA , SOT23 PNP SILICON POWER (SWITCHING) TRANSISTORS
FMMT734 , “SUPER SOT” SOT23 PNP SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTOR
FDB5680
60 N-Channel PowerTrench TM MOSFET
��������������� July 2000 ��������������� �� ������������������������� ������ ������������������� �������� � ������������� ���������Ω ��� ������� ������ �� -$���.#�$�!!���/0123-�$���4��!����� !��������������( ���� ���������Ω ��� ������� ������ �� �"�����"����$��"��������������!�(�"����5����"!������� ���! ����$����(!�$�"!"���"���"!��!��"!����)���$�! �67/ ���������������������������������������������������������� �"!��"������ ��������������� -$����/0123-������������������)���$�! ��!���")��� ��� ����� ����!���!����"����#����!���"�����!������!�����$� �$�� ���$�!�"�$���/0123-��)��$��"�����4���� ���!�����"���!��%���!���&�!�����"������!���!����������"�� ������ �����������"!���������! ��!���5����")��������(����� !� )��$�$� $���"��������������!�(� ���’� $�����"���!������!�����$!"�" (��"� �����%������(���")�� � ������ ����*+°����%�����,�!���"!�����������������! � D D G G G TO-220 D FDP Series S TO-263AB S S FDB Series Absolute Maximum Ratings T unl 25°Ci =ess otherwse noted C FDP5680 FDB5680 Symbol Parameter Units Vc VlteoVS Vc VlteoVGSS ± I - Contiimmu xaMAD -d Pulse210 PWDesisil Pwao =5 2 °CC 43 Derat °CW/ °C T, Ttiti o°CJGST Thermal Characteristics Re Rsiest Jti.32°Wθ m Rsiiest Jtbi.5R°Wθ Package Marking and Ordering Information Device Marking Device Reel Size Tape Width Quantity 13’’ 24mm 800 FDP5680 FDP5680 Tube N/A 45 2000 Fairchild Semiconductor InternationalFDP5680/FDB5680 Rev. C FDB5680FDB5680 JA C/ 62uncon-tance,Thermo-Aental JC C/uncon-tance,Thermo-Casal +175-65 tOperatand Sorage Jng uncon Temperature Range e above 25 0. Totpatr Dion @ T 65 40Drain Currentnuous 20 Gate-Sageour DS 60Drain-Sageour
